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氧化锌(ZnO)是一种重要的宽禁带(室温下E_g=3.37eV)直接带隙半导体材料,其激子束缚能高达60meV。在紫外光探测器、短波长发光二极管、激光器二极管、太阳能电池等领域有着广泛的应用前景。为了使得ZnO薄膜能广泛应用于各类光电器件,有必要改善(或者改变)ZnO薄膜的物理、化学等性能,在ZnO薄膜中掺入杂质元素和热退火处理就是其中两种重要的方法,尤其是ZnO薄膜的p型掺杂显得尤为重要。离子注入技术是当前半导体材料一种重要的掺杂技术。本论文是利用离子注入技术进行掺杂和热退火处理对ZnO