【摘 要】
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在该文中我们比较系统地研究了不同A位离子平均半径对其磁电阻、磁卡效应、磁导率的影响.此外,我们还研究了缓冲层对各向异性磁电阻影响.并且在寻找室温下具有较大磁电阻的新
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在该文中我们比较系统地研究了不同A位离子平均半径对其磁电阻、磁卡效应、磁导率的影响.此外,我们还研究了缓冲层对各向异性磁电阻影响.并且在寻找室温下具有较大磁电阻的新型半金属材料方面做了努力,在石墨这种"普通"的碳中发现了令人惊奇的大磁电阻效应.该论文的工作包括以下几个方面：一、较为系统地研究了A位离子平均半径（r<,A>）对钙钛矿型锰氧化物的磁电阻、磁卡效应、磁导率的影响.我们通过溶胶-凝胶法制备了系列的（La,Re）<,0.7>A<,0.3>MnO<,3>多晶块状样品,对样品的晶体结构、电磁特性、磁卡效应和磁谱作了详细的研究.二、研究了缓冲层对各向异性磁电阻影响.发现一种新型缓冲层Co<,33>Cr<,67>对Ni<,81>Fe<,19>薄膜样品的AMR有较大幅度的提高.三、在石墨发现了很大的正常磁电阻效应.我们在石墨这种"普通"的碳中发现了令人惊奇的大磁电阻效应以及S-dH振荡效应.
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