【摘 要】
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该论文采用准对角的方法,研究了单电子、两电子和三电子圆盘量子点的能级结构朦胧主其随磁场手变化情况.相应的限域势为在有效质量近似下的谐振子势,并且考虑了电子间的库仓
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该论文采用准对角的方法,研究了单电子、两电子和三电子圆盘量子点的能级结构朦胧主其随磁场手变化情况.相应的限域势为在有效质量近似下的谐振子势,并且考虑了电子间的库仓相互作用.将基底选为谐振子波函数,我们计算了两电子圆盘量子点的能级、库仓平均谐振子的平均势能;同时,我们还计算了单电子和三电子圆盘量子点的能级.考察了两电子圆盘量子点的能级随磁场的变化情况,并将结果与其他方法进行了比较.计算结果表明:我们建立的模型能较好地反映两电子和三电子圆盘量子点的能级结构及其磁场的变化情况,该方法在处理两电子和三电子圆盘量子点时要优于HF方法和MC方法.
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