【摘 要】
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随着科学与经济的不断发展，中国已经成为世界消费类电子产品的重要生产基地和消费大国，市场对具有各种功能芯片的需求与日俱增，其中MCU芯片以其较高的性价比被广泛应用在众多消
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随着科学与经济的不断发展，中国已经成为世界消费类电子产品的重要生产基地和消费大国，市场对具有各种功能芯片的需求与日俱增，其中MCU芯片以其较高的性价比被广泛应用在众多消费类电子产品中。市场的激烈竞争使得MCU芯片制造厂家们对于生产成本的控制十分严格。而ROM作为影响MCU芯片成本的关键因素，受到设计者们高度的重视。整个只读存储器(ReadOnlyMemory，ROM)模块是在总体设计方案确定之后，按照技术指标对电路各个功能模块进行设计。在设计存储阵列的时候，我们提出了一种新的结构：Flat-Cell存储结构，由于在Flat-Cell工艺中单元阵列全部设计在一个大的有源区上，是一种平面结构，存储单元之间是靠PN结进行隔离，不存在场氧化层。所以不会因为场区热氧化杂质再分布而使沟道宽度减小，不会有鸟嘴现象发成，也不会产生窄沟道效应，因此会使单元面积大为减小，集成度提高，性能可靠，同时也降低了制造成本。Flat-Cell技术的提出与应用使得ROM的技术指标得到了很大的提高。基于Flat-Cell技术设计的掩膜只读存储器在功能和性能上体现了自己的优势，随着工艺技术的不断发展，更小尺寸的Flat-Cell工艺必将成为制造掩膜存储器的主流工艺，由于它与CMOS工艺相兼容，一定会有越来越多的IC设计者把它做为掩膜ROM的首选工艺。
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