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银纳米线(AgNWs)由于具有高导电性、高透光性、耐曲饶性、高化学活性等特性,在太阳能电池、发光二极管、液晶显示器、催化剂等方面存在巨大的应用前景。目前合成银纳米线的主要方法为水热法,但使用水热法合成银纳米线普遍存在一些问题,如水热温度高、产物形貌不均一等。论文采用超重力技术结合低温水热法合成银纳米线,并将其用于制备银纳米线薄膜和银纳米线/聚氨酯复合薄膜材料,研究制备工艺条件对银纳米线形貌结构,银纳米线薄膜材料电学和光学性能,以及银纳米线/聚氨酯复合薄膜材料电学和光学性能的影响。论文主要结论如下。以硝酸银为银源,柠檬酸钠为还原剂,PVP、SDS为结构导向剂采用低温水热法合成了银纳米线。研究制备工艺条件对银纳米线形貌的影响,确定了适宜工艺条件为:水热温度为100 ℃;水热时间4h;AgN03的浓度为1 mmol/L;PVP的浓度为6 mmol/L;SDS的浓度为2 mmol/L。制备得到了平均直径为30 nm,长径比约500的银纳米线,产物中除了银纳米线外,还有较多的银纳米颗粒。采用超重力技术结合低温水热法制备了长径比均一的银纳米线。研究制备工艺条件对银纳米线形貌的影响,确定了适宜工艺条件为:RPB温度为80 ℃;RPB反应时间为0.5 min;RPB转速为1500 r/min;水热温度为100 ℃;水热时间2h;AgN03的浓度为3mmol/L;PVP的浓度为18mmol/L;SDS的浓度为6mmol/L。制备得到了平均直径为30nm,长径比约830的银纳米线。与单一采用水热法的制备工艺相比,结合超重力技术制备的银纳米线长径比更高、形貌更均一,产物中银纳米颗粒较少,且水热时间短,从4 h缩短至2 h。采用旋涂法制备了银纳米线薄膜及银纳米线/聚氨酯复合薄膜材料。研究了旋涂工艺条件对两种薄膜材料电学和光学性能的影响。当银纳米线浓度为1.5mg/mL、旋涂转速为2000r/min、薄膜厚度为300 nm时,制备得到了可见光透过率为80.7%,表面方阻为140 Ω/□的银纳米线透明导电薄膜材料,与单一采用水热法制备的银纳米线薄膜材料相比,在相同透明度下,表面方阻下降了 1个数量级;当银纳米线填充量分别为0.6%时,制备得到了可见光透过率为87.4%,体积电阻率为9.85 ×1044 Ω · cm的银纳米线/聚氨酯复合薄膜材料,此时薄膜材料的电学性能达到了抗静电材料的要求;当银纳米线填充量为7.0%时,制备得到了可见光透过率为83.2%,体积电阻率为2.65X 103 Q · cm的银纳米线/聚氨酯复合薄膜材料,此时银纳米线的填充量达到了该薄膜材料电学性能的渗透阈值。