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石墨烯是碳材料的最新成员,其完美的二维结构和许多奇特的性质,引起了全世界研究人员的极大兴趣。现有的石墨烯制备方法很多,大多受到掺杂、催化、衬底、温度等因素的制约,限制了石墨烯的应用。本文以苯为碳源,在铜镍合金衬底上制备石墨烯,探索CVD法制备石墨烯的新途径。利用双靶磁控共溅射法制备了三个铜镍合金薄膜作为衬底,其中,镍靶的溅射功率保持100W不变,铜靶的溅射功率分别为50W、100W、150W。对样品进行X射线能谱表征后,精确测定了合金薄膜中铜镍元素的配比。作为对照,还制备了铜、镍两个纯金属薄