【摘 要】
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为了能在实验室中对VFTO作用下SF气体间隙及绝缘子沿面放电特性进行研究,该文设计了VFTO波形模拟装置,可产生单一振荡频率的快速振荡冲击电压(FOI),其上升时间仅十几纳秒,最
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为了能在实验室中对VFTO作用下SF<,6>气体间隙及绝缘子沿面放电特性进行研究,该文设计了VFTO波形模拟装置,可产生单一振荡频率的快速振荡冲击电压(FOI),其上升时间仅十几纳秒,最高振荡频率接近20MHz,可满足研究需要.同时,为了能对FOI作用下放电过程有较好的了解,该文分别建立了预放电电流和发光测量系统及放电的高速分幅拍摄系统,可实现对SF<,6>气体在预放电通道形成过程中的光电测量.为了研究VFTO对GIS绝缘的威胁程度,该文对FOI作用下SF<,6>气体间隙及绝缘子沿面放电特性进行了较全面的研究.借助于以预放电过程所生产的电子崩及发光的测量,可了解SF<,6>气体中的放电过程.为此,该文对FOI作用下SF<,6>气体间隙及绝缘子沿面放电时的预主和电电流、预放电发光进行了测量,同时利用高速分幅相机对放电通道的形成过程进行了高速分幅拍照.为了对FOI作用下放电现象作用理论解释,该文从能量注入及空间电荷引起局部电场增强的角度出发探讨了FOI作用下的放电发展过程.理论研究表明:FOI作用下SF<,6>气体间隙及较低气压下绝缘子沿面放电可用先驱机理解释,而在较高气压下的绝缘子沿面放电则应该用先驱与高频联合机理来解释.
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