【摘 要】
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该文围绕InGaN量子点的MOCVD生长及及性质展开了大量的研究.首先,用SiH作为抗表面活化剂减小GaN薄膜的表面能,从而使InGaN在其表面浸润度降低,呈三维岛状生长,形成InGaN量子
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该文围绕InGaN量子点的MOCVD生长及及性质展开了大量的研究.首先,用SiH<,4>作为抗表面活化剂减小GaN薄膜的表面能,从而使InGaN在其表面浸润度降低,呈三维岛状生长,形成InGaN量子点.其次,我们针对上述情况,发展了一种先对GaN薄膜表面在空气中进行钝化、再在低温下生长岛状GaN诱导层,进而生长InGaN量子点的新方法,得到了高密度,均匀性也比较好的InGaN量子点.最后,用NH<,3>气代替空气对GaN薄膜表面钝化,进行了InGaN量子点生长新钝化工艺的尝试.
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