【摘 要】
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用sol-gel工艺在Nb掺杂SrFiO(001)和SrTiO(110)单晶衬底上制备出了不同取向的BiNdTiO(BNdT)薄膜，用X射线极图确定了薄膜的取向，透射电镜(TEM)观察了薄膜的显微结构，铁电测试仪测
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用sol-gel工艺在Nb掺杂SrFiO<,3>(001)和SrTiO<,3>(110)单晶衬底上制备出了不同取向的Bi<,3.15>Nd<,0.85>Ti<,3>O<,12>(BNdT)薄膜，用X射线极图确定了薄膜的取向，透射电镜(TEM)观察了薄膜的显微结构，铁电测试仪测量了薄膜的铁电及介电特性。结果表明：在Nb掺杂SrTiO<,3>(001)单晶衬底上制备的BNdT薄膜为c轴择优取向，c轴取向晶粒的体积分数约为17％，在Nb掺杂SrTiO<,3>(110)单晶衬底上制备的BNdT薄膜含 25％的a/b轴取向和 18％的(119)取向。c轴择优取向薄膜中晶粒呈扁平等轴晶生长，a/b轴择优取向薄膜中晶粒呈柱状晶生长，讨论了不同取向BNdT薄膜的生长机制。c轴择优取向的薄膜剩余极化2P<,r>=8.0μC/cm<2>，含a/b轴择优取向薄膜的剩余极化2P<,r>=26.2μC/cm<2>，铁电各向异性说明非c轴取向的BNdT铁电薄膜有更优良的铁电性。
用sol-gel工艺在SrRuO<,3>(110)/SrTiO<,3>(110)衬底上制备的BNdT薄膜表现为混和取向：沿a/b轴和(119)混合择优取向，其中a/b轴取向晶粒的体积分数约为24％，(119)取向晶粒的体积分数约为16％，薄膜有较人的剩余极化值2P<,r>=39.3 μC/cm<2>。在YSZ(100)单品衬底上制备的BNdT薄膜为44％的a/b轴择优取向，TEM结果显示该薄膜中晶粒呈柱状。
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