几种半导体高指数表面电子特性研究

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该文在紧束缚框架下采用Vogl等人的sp<3>s<*>模型,利用Pollmann等人的形式散 射理论的格林函数方法,首次将这种方法推广到高密勒指数表面电子结构的计算上来,计算了几种典型的具有金刚石结构的Ge(313)及闪锌矿结构的InSb(211)和GaAs(311)等半导体高 指数表面的电子结构,计算结果分别给出了各表面的表面投影带结构及波矢分辨的层态密度,讨论了各表面态的局域特性和色散特性,由此推断各表面态的来源,并将计算结果与其它理论及实验结果进行了比较.
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