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【摘 要】
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栅介质是CMOS器件的核心部分,也是目前限制CMOS器件Scaling down的主要因素之一.不同于传统的SiO栅介质,该文采用SiN/SiO叠层膜作为栅介质,并成功的应用于深亚微米CMOS器件中
【机 构】
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中国科学院微电子研究所
【出 处】
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中国科学院微电子中心 中国科学院微电子研究所
【发表日期】
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2003年期
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