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该文采用离子注入技术,在单晶Si中注C<+>,经过高温退火和电化学腐蚀,制备了硅基多孔纳米β-SiC薄膜,还在硅基热氧化SiO<,2>薄膜中注Si<+>,制备了富Si氧化膜,从而获得了两种发光性能较为稳定、制备方法易与硅平面工艺兼容、且发光强度较高的硅基蓝光发射材料.该文主要研究了多孔纳米β-SiC薄膜的微结构、光致发光特性和发光机理、电致发光特性和发光机理,还研究了注Si<+>热氧化SiO<,2>薄膜的光致蓝光特性和发光机理.