【摘 要】
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本论文采用间歇式P-CVD法,H2/CH4气氛。以直径20mm的Si基底在上直径40mm的Mo基底在下的叠放方式,同时研究了温度对二者合成金刚石膜的影响。通过SEM、RAMAN分析得出Si基底合
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本论文采用间歇式P-CVD法,H2/CH4气氛。以直径20mm的Si基底在上直径40mm的Mo基底在下的叠放方式,同时研究了温度对二者合成金刚石膜的影响。通过SEM、RAMAN分析得出Si基底合成金刚石膜的适宜温度为850±20℃,基于此研究了“H:C”对直径40mm的Si基底合成金刚石膜的影响,通过分区表征、分析得出,合成金刚石膜的适宜“H:C”为“104:1”,并合成了质量、结晶性和均匀性较好的大尺寸金刚石膜。为预测合成更大尺寸金刚石膜需在现有工艺条件上如何进行调节,探索了基底尺寸对金刚石膜形核、生长的影响。通过Si、Mo基底的中心温度差,以及SEM、RAMAN分析得出,Mo基底合成金刚石膜的适宜温度为870±20℃,经验证后证明“同时研究同种条件因素对两种基底合成金刚石膜影响”可行,避免了重复实验的时间和工作量,节约了资源。进一步下调“H:C”,成功合成了较高品质的大尺寸金刚石膜。
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