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当今,环境污染严重,极大地危害着人类的生存环境和身体健康;能源匮乏,已逐渐成为影响人类生存阻碍社会发展的重大问题。利用半导体光催化将取之不尽、用之不竭的太阳能转化成氢能是解决这两个重大问题的有效方法之一。g-C_3N_4有适合的导带电位(比H+/H2的电极电位偏负)使其成为有潜力的产氢光催化剂。然而,SrTiO_3的带隙宽度太宽只能被紫外光激发,对太阳光的利用率低。因此设计制备高效稳定的产氢光催化剂越来越受到人们的关注。本论文分别通过掺杂石墨烯、半导体异质结和表面助催化剂修饰等方法设计制备新型纳米S