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自2014 年至今,CZTSSe 电池进入瓶颈期,光电转换效率一直无法超越12.6％.有几个阻碍CZTSSe 太阳能电池效率进一步提高的因素,其中之一是背电极Mo 与Se 反应形成MoSe2 以及其他二次相[1],使得背接触恶化.
掺氧调节MoSe2能带改善柔性CZTSSe太阳电池性能
【摘 要】
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自2014 年至今,CZTSSe 电池进入瓶颈期,光电转换效率一直无法超越12.6％.有几个阻碍CZTSSe 太阳能电池效率进一步提高的因素,其中之一是背电极Mo 与Se 反应形成MoSe2 以及其他二次相[1],使得背接触恶化.
【机 构】
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福州大学物理与信息工程学院,微纳米器件与太阳能电池研究所,福州350108
【出 处】
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第七届新型太阳能电池材料科学与技术学术研讨会
【发表日期】
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2020年7期
其他文献
近年来,Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)薄膜太阳能电池由于元素组成绿色丰富、理论最高效率超过30％、极具发展前景而受到了广泛的关注.但是,到目前为止,CZTSSe的最高认证效率仅为12.6％,,不仅远低于理论最高效率,还低于Cu(In,Ga)Se2(CIGS)(23.35％)和CdTe(22.1％)的最高认证效率.
近年来的一些研究表明,前驱溶液的状态如元素价态、配体分子种类等对于制备高效率铜锌锡硫硒(CZTSSe)电池而言是至关重要的。本工作中,我们从巯基乙酸(TGA)-氨水溶液体系出发,通过红外、核磁和拉曼技术研究了前驱体溶液中,TGA分子与金属离子之间配位形式和配位结构的衍变过程。
The anomalous optoelectronic properties of quasi-vertical orientated Chalcostibite CuSbS2 thin film synthesized on glass substrate was studied in details.
通过硒化溅射CuInGa 合金靶得到的CIG 合金预制膜是一种制备结晶性良好的CuInGaSe2 吸收层的方法。这种方法能够保证薄膜大面积的均匀性、生产高效率和低成本，但是得到的吸收层比较粗糙。硒化过程中硒的化合会导致薄膜体积的剧烈变化，从而带来较大的表面粗糙度和劣化的CuInGaSe2/CdS 界面性能[1]。
Efficient and Stable Planar n-i-p Sb2Se3 Solar Cells Enabled by Oriented Trigonal Selenium Structure
Environmentally benign and potentially cost-effective Sb2Se3 solar cells have drawn much attention by continuously achieving new power conversion efficiency records.
One important bottleneck in the development of Sb2S3 solar cells is the high electrical resistivity ofSb2S3.Our first-principles calculations reveal that the high resistivity results from the compensa
铜铟镓硒(Cu(In,Ga)Se2)薄膜太阳电池具有效率高、弱光性能好、稳定不衰退等优点,是当前最具有前景的薄膜太阳电池之一.铜铟镓硒薄膜是一种由铜、铟、镓和硒四种元素化合成的四元化合物半导体,其根据不同的Ga/(In+Ga)比,带隙可以在1.04-1.67eV 内连续可调.
Li+&Ag+and Li+&Cd2+double-ion-doping strategy to improve the efficiency of Cu2ZnSn(S,Se)4 solar cell
Ion doping strategy is a promising method to enhance the efficiency of Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)solar cells,however,most of the reported works focus on studying the single ion doping in CZTSSe absorber l
Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)因其可调谐的带隙和地球丰富的元素成分,有望成为薄膜太阳能电池中最有前途的吸收材料之一[1-2]。柔性CZTSSe 太阳能电池因其在建筑一体化光伏和无人驾驶飞机系统[4]等光伏产业中的巨大优势而备受关注。
CZTSSe 太阳电池因Cu+、Zn2+、Sn4+阳离子紊乱和体相缺陷的存在，抑制其效率的提升。通过微量Ag+取代Cu+，可减少CuZn 反位缺陷，降低开压损耗；微量In+取代Sn+，可形成InSn 浅能级缺陷，降低与Sn 相关的深能级缺陷，改善载流子传输，提升电池的短路电流密度。因此本实验研究Ag&In 共掺杂的CZTSSe 太阳电池，发挥双阳离子掺杂的协同作用。