【摘 要】
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采用甘氨酸-硝酸盐法(GNP法)合成了CeGdO(简称CGO)粉体,并分别在1250℃和1350℃下烧结得到陶瓷样品.X射线衍射分析表明,初级粉料中即已形成单一的立方萤石结构.采用交流阻抗
【机 构】
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武汉理工大学材料科学与工程学院(武汉)
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采用甘氨酸-硝酸盐法(GNP法)合成了Ce<,0.9>Gd<,0.1>O<,2-δ>(简称CGO)粉体,并分别在1250℃和1350℃下烧结得到陶瓷样品.X射线衍射分析表明,初级粉料中即已形成单一的立方萤石结构.采用交流阻抗谱分析研究了样品的氧离子导电性能.研究结果表明,烧结温度的提高使样品的离子电导率显著增大、活化能降低,在1250℃和1350℃下烧结的样品的离子电导活化能分别为0.97eV和0.89eV.在测试温度为800℃时,1350℃下烧结样品的离子电导率达到7.6×10<-2>S·cm<-1>.与常规固相法和共沉淀法相比,GNP法制备的样品可以在较低的烧结温度下获得更高的电导率.
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