不同结构CMOS运算放大器电路的电离辐射效应

• 作 者: 任迪远 陆妩 郭旗 余学锋 严荣良
• 机 构: 中科院新疆物理研究所(乌鲁木齐)
• 出 处: 第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会
• 发表日期: 1999年期
• 关键词: 结构 运算 放大器电路 电离 氧化物电荷 输入 放电特性 工艺条件 辐照响应 电路性能 子电路 界面态 不对称 显示 漏电 镜像 规律 负载 差分

该文介绍了在相同工艺条件下，N沟和P沟输入两种不同结构CMOS运算物大器电路的电离辐照响应规律及各子电路对特性的影响情况。结果显示：由辐照感生的氧化物电荷引起的N沟镜像负载的不对称是导致P沟输入运放电特性衰降的主要机制；而由氧化物电荷和界面态引起的N沟差分对的漏电增大则是造成N沟输入运放电路性能变差的主要原因。