【摘 要】
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近十多年来,铁磁半导体(Ga,Mn)As因其在自旋电子学器件中的重要应用价值而受到广泛的关注.但迄今为止,最高的居里温度为200K,远低于室温,这成为制约其大规模应用的一个巨大障
【机 构】
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复旦大学光科学与工程系微纳光子结构教育部重点实验室,上海超精密光学工程中心,上海200433
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近十多年来,铁磁半导体(Ga,Mn)As因其在自旋电子学器件中的重要应用价值而受到广泛的关注.但迄今为止,最高的居里温度为200K,远低于室温,这成为制约其大规模应用的一个巨大障碍.解决这一问题的思路之一在于利用铁磁临近极化效应.08年EMaccherozzi等人便报道了在Fe/(Ga,Mn)As这种铁磁金属和铁磁半导体异质结中发现了靠近铁磁金属一侧的铁磁半导体薄层在室温下仍具有铁磁性.Co2FeAl这类Heusler合金具有高的自旋极化率和高的居里温度,而且高质量的Co2FeAl也易于外延生长在GaAs上.13年聂帅华等人也报道了实验和理论上得到的Co2FeAl/(Ga,Mn)As静态特性,显示两层之间为铁磁性耦合,并且正是由于铁磁临近效应使得400K的时候靠近铁磁层1.36 nm厚的(Ga,Mn)As仍然具有铁磁性.鉴于此,针对Co2FeAl/(Ga,Mn)As的磁性动力学特性的研究将会对界面之间的耦合提供直接的证据,并且可以为日后自旋电子学器件的设计提供借鉴.
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