铜铟硒(CIS)薄膜太阳能电池吸收层的硒化工艺优化研究

来源 :2011中国功能材料科技与产业高层论坛 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yichunyang

【摘要】

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采用溅射后硒化法制备铜铟硒薄膜太阳能电池的吸收层CISe薄膜,用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征了CISe薄膜的成分和表面形貌.研究了硒化温度由350℃升高到500℃以

【作者】

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王波刘平李伟刘新宽马凤仓陈小红

【机构】

：

上海理工大学,机械工程学院,上海,中国,200093

【出处】

：

2011中国功能材料科技与产业高层论坛

【发表日期】

：

2011年期

【关键词】

：

铜铟硒 CIS 薄膜太阳能电池吸收层化工艺后硒化扫描电子显微镜样品

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采用溅射后硒化法制备铜铟硒薄膜太阳能电池的吸收层CISe薄膜,用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征了CISe薄膜的成分和表面形貌.研究了硒化温度由350℃升高到500℃以及在450℃硒化时间从20min到40min的不同样品的物相组成和形貌结构,结果表明随着硒化温度升高,可以得到更好的薄膜成分和晶相形貌的CISe薄膜,当样品在500℃硒化30min或450℃硒化40min时可得到物相结构和微观形貌较好的CISe薄膜.

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