【摘 要】
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90年代，中科院上海技术物理研究所(SITP)开始发展第二代碲镉汞红外焦平面技术.光伏型碲镉汞基于分子束外延(MBE)和液相外延(LPE)技术，采用离子注入形成pn结的平面阵列工艺
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90年代，中科院上海技术物理研究所(SITP)开始发展第二代碲镉汞红外焦平面技术.光伏型碲镉汞基于分子束外延(MBE)和液相外延(LPE)技术，采用离子注入形成pn结的平面阵列工艺技术.1～3微米和3～5微米的碲镉汞线列焦平面取得了突破，光电性能达到当时先进技术水平.在空间应用牵引下，碲镉汞长线列焦平面和凝视焦平面实现了快速发展.SITP的第二代红外焦平面器件基于MBE和LPE碲镉汞材料：在GaAs衬底进行分子束外延和碲锌镉衬底进行液相外外延，材料实现了低的缺陷和位错密度、光谱波段范围覆盖从1到12.5微米.探测器阵列工艺：基于平面结技术、硼离子注入、碲化镉/硫化锌钝化等等.读出集成电路基于CMOS标准工艺，采用电容反馈运放积分(CTIA)和直接注入(DI)读出结构等.红外焦平面器件采用直接或间接倒装焊技术，实现探测器阵列和读出电路互连混成.短波、中波/长波红外焦平面已用于多个空间应用系统，例如空间对地观察系统、超光谱成像.
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