【摘 要】
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1972年磁控溅射技术发明,推动了固态薄膜在多个领域的应用。使用磁控溅射方法,在靶(阴极)附近是靠磁场约束来增大电子与离子的密度。利用空心阴极(HC)放电,特别强的等离子体可以
【出 处】
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2015年中国太阳能热利用行业年会暨“十三五”太阳能热利用发展论坛
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1972年磁控溅射技术发明,推动了固态薄膜在多个领域的应用。使用磁控溅射方法,在靶(阴极)附近是靠磁场约束来增大电子与离子的密度。利用空心阴极(HC)放电,特别强的等离子体可以限制在阴极的腔体中,它是通过几何的和电的约束限制电子,减少离子损失。二次电子以及在阴极暗区产生的电子被阴极附近的电场加速,这些快电子会在二个阴极表面之间来回振荡,每次都被阴极位降反射,每个电子在消失之前能离化大量的工作气体原子(如氩),大大高于平面阴极等离子体密度,可与磁控阴极的等离子体密度相比。产生的氩正离子Ar+轰击和溅射阴极内表面,当氩气流通过空腔时,一些溅射出来的原子就随着氩气流出腔体,这些原子就可能沉积在基材上,这种薄膜沉积的方法称之为气流溅射(Gas flow sputtering,简称GFS)。在1OPa~50Pa压强下工作,无需高真空的抽气系统,抽气由罗茨泵与机械泵完成。可以降低气流溅射系统的费用与能源消耗;约为磁控溅射的工作压强的10倍,制备薄膜过程时,容易发生弧光放电,需要配置消弧功能强的电源设备;制备纯金属薄膜,其纯度会受到限制,尤其是对制备活泼金属比较困难;气流溅射技术适宜制备氧化物与氮化物薄膜,有良好的性价比;本文试验制备了铝-氮/铝太阳光谱选择性吸收涂层的,也有较好的结果。
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