【摘 要】
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由于基础研究方面的原因,Au/Si薄膜的研究吸引了很多科研工作者的兴趣,但是直到现在关于室温条件下低密度Au/Si薄膜形成的报告较少,薄膜形成机制尚不清楚.本工作利用离子
【机 构】
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Key Laboratory for Nuclear Data, China Institute of Atomic Energy, Beijing 102413, China
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由于基础研究方面的原因,Au/Si薄膜的研究吸引了很多科研工作者的兴趣,但是直到现在关于室温条件下低密度Au/Si薄膜形成的报告较少,薄膜形成机制尚不清楚.本工作利用离子溅射装置首次在室温条件下制备了低密度Au/Si薄膜(大大低于金的体密度19.3 g·cm-3),并利用X射线反射(XRR),平面内X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对其进行研究.结果表明：最低密度的Au/Si薄膜密度为6.2g·cm-3,仅为Au体密度的33％,厚度为50 nm,是在同样条件下沉积的正常密度薄膜厚度的3.29倍,而沉积的原子个数大致相同；这种薄膜的结构为无定形多孔结构,极其不稳定,即使在自然光作用下其结构也会发生变化,其生长遵循非Volmer-Weber模式；AFM图像和XRR分析表明低密度薄膜的表面粗糙度值小,这与纳米粒子尺寸相关.
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