论文部分内容阅读
由硅与锗的晶格参数不匹配能制作大大提高电子迁移率的应变硅；但是同时，由于失配能的积累会在二者界面产生失配位错或其他缺陷。为了寻找合适的产生和控制应变硅的方法以及研究硅中应变与失配位错的关系，有必要定量地分析失配位错；此外，定量分析失配位错对于分析硅锗异质结的光电性能和力学性能也是至关重要的。