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该工作用测量基区薄层电阻（Ｂ离子注入后经再分布）的陪片样品，用扩展电阻测试仪测量片中载流子浓度（此处即为Ｂ杂质浓度）随深度的变化，将该陪片的邻近区域用ＳＩＭＳ测量Ｂ离子随深度的变化及Ｓｉ离子计数。将不同深度处ＳＩＭＳ测出的Ｂ离子与Ｓｉ离子计数比相对于Ｂ杂质浓度作图，得一条直线。该直线斜率即为ＳＩＭＳ测量Ｓｉ中Ｂ杂质的定标常数。用三块样品所得定标常数的相对误差约为３０℅。