嵌埋式GaN团簇光学吸收性质的研究

• 作 者: 赵子强 韩朝晖
• 机 构: 大学技术物理系,重离子物理研究所
• 出 处: 97全国荷电粒子源粒子束学术会议
• 发表日期: 1997年期
• 关键词: 团簇尺寸 光学 共蒸发 半导体 气压控制 量子效应 绝缘介质 多晶结构 吸收性 吸收边 复合膜 线性 显示 生蓝 方法 电流

用双束共蒸发的方法，将半导体ＧａＮ和绝缘介质ＣａＦ〈，２〉共蒸发，制备出ＧａＮ：ＣａＦ〈，２〉团簇复合膜。ＧａＮ团簇嵌埋在ＣａＦ〈，２〉中，其团簇大小可通过蒸发电流和携带气压控制。ＴＥＭ结果显示ＧａＮ团簇呈多晶结构，团簇尺寸大约１０ｎｍ。他们研究了该种膜的线性吸收性质，观察到了明显的量子效应，半导体吸收边发生蓝移。