ZnS:Tm纳米晶的制备及光学性质

• 作 者: 李振钢[1]李岚[2]
• 机 构: 师范大学物理系
• 出 处: 第八届全国发光学术会议
• 发表日期: 1998年期
• 关键词: 纳米晶 光学性质 纳米材料 硫化锌 化学合成法

该文报告了用化学合成法制备ＺｎＳ：Ｔｍ纳米晶的方法，即用高纯度ＺｎＣｌ〈，２〉和ＴｍＣｌ〈，３〉以１００：１的比例混合，加入聚氧化乙烯，制成有机介质薄膜，然后用六甲基二硅硫浸泡加硫。控制反应时间，可以控制ＺｎＳ纳米晶的粒度。研究人员浸泡的二天到五天，用紫外吸收光谱分析，计算出纳米晶的粒度为３．０￣３．５ｎｍ。所有这些操作都是在２０℃左右的室温中进行的。经电镜照相分析，纳米晶的分散度和均匀性都比较好。用激发光谱测量，采用３１０ｎｍ的光激发，测得发射光谱峰为４７５ｎｍ，它是Ｔｍ〈’３＋〉离子〈’１〉Ｇ〈，４〉→〈’３〉Ｈ〈，６〉的跃迁，没有观察到由于纳米晶中有Ｃｌ存在而产生的特征谱线，而且〈’１〉Ｇ〈，４〉→〈’３〉Ｈ〈，６〉跃迁谱线的波长与纳米晶粒度的关系很小。