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本文研究发现管式PECVD技术中的预处理工艺对晶体硅电池片的电性能有重要影响。通过对比保留与去除预处理工艺太阳电池性能的表现，发现采用当前主流硅片材料的情况下，去除预处理工艺后电池的开路电压与转换效率均有提升。通过对比其短波段的内量子效率，分析造成性能差异的主要原因为当前硅片的质量越来越好，预处理工艺对硅片体材料的钝化作用越来越有限，等离子轰击对硅片表面造成的损伤作用突显。