【摘 要】
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本文介绍了在X波段输出功率为10 W的AlGaN/GaN微波功率HEMT.该器件采用MOCVD技术在SiC衬底上生长AlGaN/GaN异质结,器件研制中采用了凹槽栅和场调制板结构.凹槽栅使得器件的跨
【机 构】
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南京电子器件研究所,单片集成电路与模块国家重点实验室,南京,210016
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本文介绍了在X波段输出功率为10 W的AlGaN/GaN微波功率HEMT.该器件采用MOCVD技术在SiC衬底上生长AlGaN/GaN异质结,器件研制中采用了凹槽栅和场调制板结构.凹槽栅使得器件的跨导由216 mS/mm上升到了325 mS/mm,结合采用的场调制板减小了器件的电流崩塌,提高了器件的微波功率性能.研制的器件电流增益截止频率为28 GHz,最高振荡频率为60 GHz.在8 GHz、36 V工作电压下,1 mm栅宽的该器件输出功率为10.1 W,功率增益为8.1 dB、功率附加效率(PAE)为45％.
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