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薄膜晶体管(TFT)是现今主流平板显示(包括AML,CD和AMOLED)不可或缺的驱动器件。目前显示器件中使用的主要是非晶硅(α-Si)TFT,但α-Si-TFT迁移率低(＜1 cm2/Vs),无法满足大尺寸显示器发展要求,同时也是发展高清显示的最大技术瓶颈。以InGaZnO为代表的非晶氧化物半导体(AOS)由于具有较大的迁移率(＞10 cm2/Vs),易于大面积均匀制备,并且与需要低温工艺的透明玻璃衬底和柔性衬底兼容,将有望取代传统的非晶硅成为下一代平板显示的关键材料。[1-3]