徽电子器件失效激活能的快速评价方法

• 作 者: 郭春生 李志国 吴月花 程尧海 廖京宁
• 机 构: 北京工业大学电子信息与控制工程学院可靠性研究室,北京,100022
• 出 处: 2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会
• 发表日期: 2005年期
• 关键词: 微电子器件 失效激活能 加速寿命试验 器件失效 应力 退化过程 失效机理 理论模型 敏感参数 快速提取 快速评价 计算 额定功率 三极管 方法

本文通过对序进应力加速寿命试验的研究,提出了一种快速评价微电子器件失效激活能的方法,建立了计算失效激活能的理论模型.并对硅PNP三极管3CG120进行额定功率下,170℃-345℃范围内的序进应力加速寿命试验,快速提取器件失效敏感参数hFE与所施加应力的关系,根据模型对器件退化过程中的失效机理进行研究、计算,从而确定其对应的失效激活能.