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本文报道选用含有胺基的正丁胺作碳源,采用射频辉光放电法制备碳膜钝化多孔硅的结果,主要研究钝化多孔硅经存放后荧光谱随温度的变化规律,并测量了整个钝化多孔硅及多孔硅层的电阻-温度特性,对其实验结果给出了较好的解释.
钝化多孔硅温度行为的研究
【摘 要】
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本文报道选用含有胺基的正丁胺作碳源,采用射频辉光放电法制备碳膜钝化多孔硅的结果,主要研究钝化多孔硅经存放后荧光谱随温度的变化规律,并测量了整个钝化多孔硅及多孔硅层
【机 构】
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湖南大学应用物理系(长沙)
【出 处】
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第四届中国功能材料及其应用学术会议
【发表日期】
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2001年期
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