【摘 要】
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砷化镓(GaAs)晶体在光波段的应用较为广泛,其主要光学参数—折射率的研究较为深入,也比较明确,但其在太赫兹波段的折射率却研究相对较少.为此,我们开展了GaAs晶体太赫兹波段
【机 构】
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四川大学电子信息学院 四川成都 610065
【出 处】
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第二届全国太赫兹科学技术与应用学术交流会
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砷化镓(GaAs)晶体在光波段的应用较为广泛,其主要光学参数—折射率的研究较为深入,也比较明确,但其在太赫兹波段的折射率却研究相对较少.为此,我们开展了GaAs晶体太赫兹波段折射率的理论和实验研究.首先,采用透射光谱法测得砷化镓晶体在太赫兹波段的透射率,进而利用模拟退火优化算法,反演得到了砷化镓晶体不同太赫兹频点的折射率.在此基础上,利用建立的GaAs晶体在太赫兹波段的介电常数描述模型,计算模拟了相应频点的折射率,并与采用实验数据反演得到的结果进行了比对.结果表明,在太赫玆低频波段内,砷化镓晶体的折射率与光波段的折射率差别较大,且随太赫兹波频率变化相对较小.实验结果与理论结果吻合较好,可为太赫兹功能器件的研究提供参考.
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