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用Ｘ射线双晶衍射对气源分子束外延（ＧＳ－ＭＢＥ）制备的锗／硅纳米周期超晶格（ＮＰＳ）样品进行了分析。发现对硅层厚度较小的样品，双晶衍射摇摆曲线中由超晶格引起的衍射峰较宽，且看不到干涉引起的精细结构，对硅层较厚的样品，摇摆曲线中超晶格引起的衍射峰较窄，并有明显的由干涉产生的精细结构，对硅层厚度在２．１￣２．９ｎｍ之间的样品，超晶格对应的衍射峰可以分解为两个宽度不等的子峰。