【摘 要】
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采用磁控溅射方法制备了上钉扎CrPt/FePt和下钉扎FePt/CrPt双层膜(Ta作为缓冲层和保护层),样品在真空度优于5×10-4Pa的真空炉里进行350℃,5h的退火,退火时沿样品的易轴方向加约63.68kA/m的静磁场。实验发现,退火后CrPt/FePt体系的钉扎场比FePt/CrPt体系的钉扎场大。从织构和晶粒尺寸两方面对其中的原因进行了分析。结果表明,CrPt/FePt体系具有较弱的择
【机 构】
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首都师范大学 物理系,北京 100048
【出 处】
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2009全国功能材料科技与产业高层论坛
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采用磁控溅射方法制备了上钉扎CrPt/FePt和下钉扎FePt/CrPt双层膜(Ta作为缓冲层和保护层),样品在真空度优于5×10-4Pa的真空炉里进行350℃,5h的退火,退火时沿样品的易轴方向加约63.68kA/m的静磁场。实验发现,退火后CrPt/FePt体系的钉扎场比FePt/CrPt体系的钉扎场大。从织构和晶粒尺寸两方面对其中的原因进行了分析。结果表明,CrPt/FePt体系具有较弱的择优取向度和较小的晶粒尺寸是引起体系具有较大交换偏置场的原因。
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