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本文主要介绍MgO 衬底上掺K 和不掺K 的SBN60 铁电薄膜的横向电光系数的测量，实验测得不掺K 的SBN60 薄膜值为37.6/pmV，掺K的r51值为58.5 / pm V ，并由此设计一种MgO 衬底上M-Z 型SBN60 薄膜波导调制器，计算出掺K的此种波导调制器半波调制电压为10V，不掺K的半波电压值为16V，结果说明掺入K 离子能有效的减少其半波调制电压。