【摘 要】
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利用高温烧结的方法制备了直径为60mm,厚度为10 ~ 15mm高质量掺杂G2O3的ZnO陶瓷靶材,实验了不同摩尔浓度的Ga3+掺杂对靶材性能的影响,确定了最佳Ga3+掺杂量为3.0mol%,同时
【机 构】
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武汉理工大学硅酸盐工程中心国家重点实验室,湖北 武汉 430070
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利用高温烧结的方法制备了直径为60mm,厚度为10 ~ 15mm高质量掺杂G2O3的ZnO陶瓷靶材,实验了不同摩尔浓度的Ga3+掺杂对靶材性能的影响,确定了最佳Ga3+掺杂量为3.0mol%,同时通过在不同温度烧结实验、不同成型压力实验确定了ZnO靶材制备的最佳工艺,并采用ZnO-Ga3.0%陶瓷靶和DC(直流磁控)技术,通过镀膜工艺的调节,最终在玻璃(普通载玻片)上制备出高度c轴(002)择优取向的n型ZnO薄膜,其电阻率为6.1×10-4Ωcm,载流子浓度-4.86× 1020cm-3,可见光透过率83%以上,达到了透明导电薄膜的使用要求.
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