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该文从半导体电子所受的近程势和远程势的相互作用出发阐述了电子态在坐标空间和动量空间的特征。在此基础上提出了研究半导体中的杂质电子态的多能谷模型，对于Ⅲ－Ｖ族化合物的ＤＸ中心给出了新的微观描述，解释了最新的实验结果。又用此多能谷模型研究了异质结构中的能带混合，讨论了异质结构中的谷间电子转移效应及新器件的设计。（本刊录）