【摘 要】
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在C晶体有序相两端的两个相变温度85K和260K区间,C分子为38°取向的概率可分别从1/6增大到3/8.在一个C分子中,存在着富电子区域和贫电子区域,两种类型的区域影响了分子间的相
【机 构】
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惠州学院物理系(广东惠州)湖北大学物电学院(湖北武汉)
【出 处】
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2003年第十届全国电介质物理与功能材料学术会议
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在C<,60>晶体有序相两端的两个相变温度85K和260K区间,C<,60>分子为38°取向的概率可分别从1/6增大到3/8.在一个C<,60>分子中,存在着富电子区域和贫电子区域,两种类型的区域影响了分子间的相互作用并产生电偶极子.研究表明:C<,60>分子在85~260K温度区间38°取向个别有规则的均匀分布,在概率为1/4和1/3具有较稳定的结构和较小的介电损耗,对应的温度分别为122.6K和194.3K.此结论可以合理地解释介电损耗反常的实验结果.
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