InAs/GaSb超晶格界面的光学各向异性研究

来源 :中国物理学会2012年秋季学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jfhz2001

【摘要】

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InAs/GaSbⅡ型超晶格由InAs和GaSb两种材料周期性交替生长构成.由于InAs的导带比GaSb的价带还要低,临近的电子和空穴通过耦合形成微带,在中远红外探测器方面有着广阔的应用前

【作者】

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武树杰俞金玲高寒松蒋崇云陈涌海

【机构】

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中国科学院半导体研究所材料重点实验室,北京,100083

【出处】

：

中国物理学会2012年秋季学术会议

【发表日期】

：

2012年期

【关键词】

：

InAs 超晶格界面平面内光学各向异性远红外探测器应用前景释放应力晶体质量

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InAs/GaSbⅡ型超晶格由InAs和GaSb两种材料周期性交替生长构成.由于InAs的导带比GaSb的价带还要低,临近的电子和空穴通过耦合形成微带,在中远红外探测器方面有着广阔的应用前景.InAs和GaSb 不存在共同的原子,晶格常数不匹配必须通过插入界面来释放应力,界面的类型和厚度对超晶格的晶体质量和能带有重要的影响.反射差分反射光谱(RDS)是对平面内光学各向异性非常灵敏的一种光学手段.

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