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该文叙述HL-IM托卡马克器壁经硅化后在欧姆加热和低杂波电流驱动（LHCD）条件下。软调射线能谱、电子速率分布和电子温度变化的特点，以及用碘化汞（HgI2半导体探测器和碘化钠探测器侧出的X射线辐射强库的变化与LHCD能量沉积的关系，
器壁硅化对电子速率分布的影响
【摘 要】
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该文叙述HL-IM托卡马克器壁经硅化后在欧姆加热和低杂波电流驱动（LHCD）条件下。软调射线能谱、电子速率分布和电子温度变化的特点，以及用碘化汞（HgI2半导体探测器和碘化钠探测器
【机 构】
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业西南物理研究院
【出 处】
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中国核学会核聚变与等离子体应用学术讨论会
【发表日期】
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1998年7期
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