硫化温度对电沉积制备的CIS吸收层结构和组分的影响

• 作 者: 宋虎成;杨光红;万绍明;胡彬彬;杜祖亮;
• 机 构: 河南大学特种功能材料教育部重点实验室,河南开封,475004
• 出 处: 中国化学会第28届学术年会
• 发表日期: 2012年期

　　采用方波脉冲电源以恒电流模式，在FTO 基底上电沉积制备CuInSe2 薄膜，用先硒化后不同温度硫化的方法制备CuIn(SexS1-x)2 吸收层，研究了硫化温度对吸收层结构、组分和光学性质的影响.结果表明硫化温度从250℃增加到550℃的过程中，吸收层出现了从CuInSe2(250℃)到CuInS2(400℃)再到CuInSnS4(550℃)的转变，其对应的光学带隙从1.02ev 增加到了1.57ev.在300℃和350℃下得到了CuInSe2 和CuInS2的复合薄膜；450℃和500℃的硫化温度使FTO 中的锡进入吸收层得到了CuInS2 和CuInSnS4 的复合薄膜.该工作为制备高效率太阳能电池吸收层提供了一种易操作、低成本的技术.