GD08-016两种氧化方法对InSb探测器钝化效果的研究

来源 :第10届全国光电技术学术交流会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:nixiangtama
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  比较了阳极氧化和photo-CVD氧化两种钝化方式制备InSb探测器的性能,结果表明前者反偏漏电流小,击穿电压是后者的5倍,背景光电流和零偏阻抗基本相同.C-V测试结果:阳极氧化器件固定表面电荷密度为2×1011cm-2,photo-CVD氧化器件为1.5×1011cm-2.经过高温高湿老化试验后,在反偏1V时,前者漏电比变化率只有后者的50%,二者背景光电流均有增加,可能与器件光敏面扩大有关.
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