脉冲激光烧蚀沉积ZnSe薄膜的研究

• 作 者: 许宁;杜元成;应质峰;凌浩;李富铭;
• 机 构: 复旦大学光科学与工程系,三束材料改性国家重点实验室(上海)
• 出 处: 第四届中国功能材料及其应用学术会议
• 发表日期: 2001年期
• 关键词: 激光烧蚀 ZnSe薄膜 二维生长模式

我们用248nm的KrF准分子脉冲激光烧蚀ZnSe靶材沉积ZnSe薄膜.靶采用多晶ZnSe片,衬底采用抛光GaAs(100).衬底预处理采用化学刻蚀和高温处理.原子力显微镜(AFM)观察显示在GaAs(100)沉积的ZnSe薄膜的平均粗糙度为3～4nm.X射线衍射(XRD)结果表明ZnSe薄膜(400)峰的半高宽为0.4～0.5°.对激光烧蚀团束的四极质谱分析表明烧蚀团束主要由Zn、Se和2Se组成,并由此推断ZnSe薄膜的二维生长模式.