【摘 要】
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采用磁控溅射法制备非晶掺硅氧化锡(STO)薄膜,用XRD、AFM、Hall 等测试对薄膜进行表征,研究了沉积温度和退火温度对其电学、光学性能的影响.研究结果表明,STO 薄膜在不同
【机 构】
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高分子光电材料与器件研究所,发光材料与器件国家重点实验室,华南理工大学材料科学与工程学院,广州510640
【出 处】
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广东省光学学会2015年学术交流大会暨粤港台光学界产学研合作交流大会
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采用磁控溅射法制备非晶掺硅氧化锡(STO)薄膜,用XRD、AFM、Hall 等测试对薄膜进行表征,研究了沉积温度和退火温度对其电学、光学性能的影响.研究结果表明,STO 薄膜在不同退温度下保持非晶结构,具有表面光滑、缺陷少和高致密度的特点.STO 薄膜在不同温度退火,存在两种机制影响迁移率.非晶薄膜导带底分布着一定的势垒,当退火温度小于150℃时,薄膜内存在热激发,载流子将越过势垒进行渗透传导,Hall 迁移率随着载流子浓度的提高而增加；当退火温度达到250℃时,载流子浓度急剧升高,离子化散射增加,导致Hall 迁移率降低.当退火温度高于250℃时,由于薄膜相对致密度升高104.7％,粗糙度降低88％,形成高质量薄膜,使Hall 迁移率增加.
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