GaInPGaAsGe三结太阳电池0.05~2.80MeV质子辐照效应分析

来源 :第十四届全国核物理大会暨第十届会员代表大会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：heatsnow

【作者】

：

王荣刘运宏鲁明冯钊

【机构】

：

北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室北京100875;北京师范大学核科学与技术学院北京100875;北京市辐射中心北京100875北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室北京100

【出处】

：

第十四届全国核物理大会暨第十届会员代表大会

【发表日期】

：

2010年11期

【关键词】

：

GaInP/GaAs/Ge 三结电池移位损伤剂量非电离能量损失质子辐照

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