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FULLY DEPLETED NANOSCALE VERTICAL DOUBLE GATE MOSFET

来源 :International Meeting on Frontiers of Physics 2009(第三届国际物理前沿 | 被引量 : 0次 | 上传用户：Gloria_SHU

【作 者】

：

Munawar A.Riyadi Nurul E.Alias Ismail Saada Razali Ismail 

【机 构】

：

Faculty of Electrical Engineering, Universiti Teknologi Malaysia, 81310 Skudai, Johor, Malaysia; Dep

【出 处】

：

International Meeting on Frontiers of Physics 2009(第三届国际物理前沿

【发表日期】

：

2009年4期

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