【摘 要】
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采用热丝化学气相沉积(HWCVD)方法制备了不同晶态比(X)的氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜.研究了μc-Si:H薄膜的暗电导率(σ)与X的关系,测量了μc-Si:H薄膜的暗电导温度特性.针对薄
【出 处】
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第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会
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采用热丝化学气相沉积(HWCVD)方法制备了不同晶态比(X<,c>)的氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜.研究了μc-Si:H薄膜的暗电导率(σ<,d>)与X<,c>的关系,测量了μc-Si:H薄膜的暗电导温度特性.针对薄膜的柱状生长特点和薄膜的纳米晶、非晶和界面的混合相结构,建立能带模型.对σ<,d>-T关系进行了数字拟合计算,计算中考虑了热发射、隧穿、带尾态输运和变程跳跃电导等输运机制.发现,室温下具有较低X<,c>的薄膜,电子热发射跃过势垒是主要的输运机制,而对于较高X<,c>的薄膜,电子通过势垒的隧穿对电导起主要的作用.对σ<,d>-T关系拟合计算发现,对于X<,c>＜0.6的样品,在20～210K的范围内符合非晶变程跳跃电导的lnσ<,d>-T<-14>关系.而对于高X<,c>的薄膜样品,在低温下必须考虑带尾局域态输运的贡献.同时发现,氧的存在使得薄膜的电导率存在0.15eV的激活能.
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