硅和锗在红外二维光子晶体中的适用性比较

• 作 者: 张磊 张晓玉 姚汉民 杜春雷 张福甲
• 机 构: 中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室,成都,610209;兰州大学微电子所,兰州,730000中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室,成都,610209兰州大学微电子
• 出 处: 2003年十一省(市)光学学术会议
• 发表日期: 2003年10期
• 关键词: 二维光子晶体 光子带隙 平面波展开法 反应离子刻蚀 红外光子晶体 硅 锗

本文为了寻找更好的红外光子晶体材料,对硅和锗材料自身的性质进行了比较,并采用平面波展开法(PWE)计算了两种材料气孔型二维光子晶体的光子带隙图,发现锗二维光子晶体的禁带比硅大得多,两种材料的反应离子刻蚀(RIE)实验也表明相同条件下锗的刻蚀速率比硅大,说明锗是一种性质比较好的红外光子晶体材料.但由于受其透过波长和其他一些因素的限制,在光子晶体应用中锗并不能代替硅.