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一维半导体纳米结构具有独特的光电特性，在纳米光电探测领域具有重要的应用前景。其优点包括(i)纳米尺寸，适合器件小型化并具有纳米空间分辨率；(Ⅱ)单晶晶体质量，光电转换效率高；(Ⅱi)一维结构相关的偏振探测能力；(iv)表面及掺杂效应引起的高增益；(v )大比表面积，可通过表面修饰增强光电性能；(vi)能带可调，光谱检测范围宽；(vⅡ)可应用于柔性器件等。在此报告中，我们对基于Ⅱ-vi族、石磨烯，以及有机半导体一维纳米结构的高性能光电探测器进行了系统研究。通过制备基于单根纳米线、带的器件，研究了纳米光电探测器件的工作性能；通过改变半导体禁带宽度，实现了从紫外至红外光谱的检测；揭示了掺杂、表面态、气氛对器件性能的影响，发现了p-型Ⅱ-vi族半导体中存在的负光电导现象；采用肖特基结、pn结等多种器件结构，实现了对器件响应速度、开关比等工作特性的控制，利用一维纳米结构极高的响应度，实现了对弱光甚至单光子的检测。我们的工作证明一维半导体纳米光电探测器有望在新一代纳米光电子器件中获得重要应用。