【摘 要】
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φ80mm×800μmPIN阵列探测器是国内近年新研制的一种新型半导体探测器,本工作在强钴源放射性源场中测量了供电电压对阵列探测器灵敏度的影响,构成阵列的探测器数量对灵敏度
【机 构】
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中物院核物理与化学研究所(四川绵阳)
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φ80mm×800μmPIN阵列探测器是国内近年新研制的一种新型半导体探测器,本工作在强钴源放射性源场中测量了供电电压对阵列探测器灵敏度的影响,构成阵列的探测器数量对灵敏度的影响.实验测量结果表明:当探测系统的供电电压在600V至1000V之间时,该阵列探测器的灵敏度波动变化较小;构成探测器阵列的单一PIN探测器数量越多,该阵列探测器的灵敏度越大.该探测器阵列灵敏度大于1×10<-14>C·cm<2>.
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